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    2022年NAND閃存資本支出將達300億美元

    國外分析機構IC Insights預測稱,今年NAND閃存的資本支出將增長8%達到299億美元,超過2018年的278億美元。2017 年,閃存資本支出飆升,當時該行業向3D NAND轉型,此后每年都超過200億美元。 2022 年,閃存的資本支出預計將增至299億美元,因為無論大小型供應商都將保持適度激進的支出水平。

    2022年閃存資本支出

    299億美元的支出占2022年整體IC行業資本預測支出1904億美元的16%,僅次于晶圓代工廠部分,預計后者今年將占行業資本支出的41%。

    近期新升級的NAND閃存工廠包括三星的Pyeongtaek 1、2生產線(也用于DRAM和代工);三星在中國西安的二期投資;鎧俠在日本巖手的Fab 6和 Fab K1晶圓廠;美光在新加坡的第三家閃存廠。此外,SK海力士為其M15工廠的剩余空間配備了NAND閃存。

    在預測期內,隨著NAND閃存供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上閃存芯片的產能競爭,將需要新的晶圓廠和設備。三星和美光可能是首家今年晚些時候就開始量產200層NAND的公司。兩家公司及SK海力士目前都在量產176層 NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是(或將成為)領先NAND的關鍵制造基地,擁有2家晶圓廠,每家晶圓廠全面投產后每月可生產 120,000 片晶圓。隨著對企業存儲應用的日益關注,SK hynix 預計將在2023年遷移到196層。

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